电子

通快激光器能可再现与高质量地加工产品，特别适合电子行业——也可实现大批量生产。单是通快的 1000 多台超短脉冲激光器就在全球行业领导者的生产环境中一年 365 天昼夜不停地工作。通快根据应用领域提供整套机器解决方案或单个激光技术套件。在这两种情况下，客户都能得益于通快集团的国际服务网络。

如果没有激光技术，微电子的诞生以及我们现在的计算机和智能手机的基础将是无法想象的。逻辑芯片和存储芯片具有纳米数量级的结构，只能通过复杂的曝光工艺利用激光射线制造。利用准分子激光器的紫外激光射线的传统方法日益接近极限。未来，只能利用极紫外 (EUV) 范围内的更短波长光线生成更加微小的结构。同最大的光刻机制造商 ASML 和光学领域专家 Zeiss 一起，TRUMPF 已长期深入致力于这种 EUV 光刻工艺，并开发出一款全球独一无二的 CO₂ 激光装置。因此，一项 TRUMPF 技术将在未来的众多高性能芯片中得到应用。

TRUMPF 霍廷格电子的等离子体发生器在具体的芯片制造中同样发挥着基础作用。电源的质量决定了所生成等离子体的质量和精度。该等离子体将在后续步骤中用于掺杂（离子注入）、沉积（PECVD、ALD）和去除（等离子体刻蚀）不同材料，以制造半导体芯片。在此过程中生成的有毒环境气体可在 TRUMPF 霍廷格电子制造的发生器中由一套特殊系统高效净化，从而将半导体制造中的 CO₂ 足迹维持在尽可能低的水平。

在硅晶片上曝光和构建电路后，分离至单独的芯片是电子元器件工艺链的下一项挑战。为了尽可能实现细小切缝和高边缘质量以及防止敏感芯片因热冲击而损坏，将通快的超短脉冲激光器用于分单。其实现避免不利热影响的材料加工和激光加工中的极高精确度。该激光器也适合切割敏感模块（系统级封装）、加工多材料印刷电路板以及在硅和玻璃上钻出所谓的“微通孔”。此外，通快激光器还用于有针对性的涂层蚀刻、切割薄膜和标注。

晶体的合成制备是半导体制造的基础，因此也是整个通信技术和媒体技术的基础。单晶层在相同材料的单晶基板上生长，同时晶体结构保持不变。该工艺主要用于 LED 的制造。通快霍廷格电子的感应发生器通过快速精确地调节输出量，实现均匀而稳定的温度分布。