EUV 驱动激光

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CO2 激光器

通过激光脉冲为未来生产微芯片奠定基础。

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EUV 光刻技术是数字时代的推动者

EUV 光刻是未来微芯片制造方法中的翘楚。多年来，半导体产业一直在寻找符合成本效益并且能批量处理的方法，以便借此在硅晶片上曝光更小的结构。ASML、Zeiss 和通快合作开发了一项技术，用以获得波长为 13.5 纳米的工业用极紫外光 (EUV)：在真空室内，液滴发生器每秒发射 50,000 个锡液滴。每一个液滴被 50,000 个激光脉冲中的一个击中并变为等离子体。由此产生 EUV 光，再通过反射镜将其引到需要曝光的晶片上。用于等离子体辐射的激光脉冲来自通快所开发的脉冲式 CO₂-激光系统——通快激光放大器。

从几瓦到 40 千瓦

通快激光放大器将激光脉冲连续放大 10,000 倍以上。

高效和可靠加工

通过发出预脉冲和主脉冲可将激光放大器的全部功率传输至锡液滴。

CO₂ 激光器的新应用

处于连续波运行的 CO2 激光器是高性能激光系统的基础。通快以此创造了一项新的技术应用。

庞大的专家网络

经过多年的密切合作，通快、ASML 和 ZEISS 使 EUV 技术达到工业规模的成熟水平。

部件

… 包含激光放大器。

米

... 电缆安装在系统内。

千克

... 为总重量。

通快激光放大器的核心组件

高功率种子模块 (HPSM)

高功率种子模块 (HPSM) 包括两个产生几瓦输出脉冲的种子激光器，以及使激光束成型并确保优质脉冲宽度的众多有源和无源光学组件。通过第一个放大器将光预放大到 100 W 的数量级。通过保护机制有效保护种子激光器免受背反射光影响，因此系统整体的稳定性显著提高，可达到所需的恒定 EUV 功率。

高功率放大链路 (HPAC)

高功率放大链路 (HPAC) 由用于提高功率并通过光束传导装置相互连接的四个谐振腔组成。每个谐振腔已优化至相应放大级（如鼓风机、射频激励、气体混合、光束传导）。三个不同冷却循环回路保证系统内的必要稳定性。短脉冲确保兆瓦级的非常高的峰值输出功率。广泛的在线计量技术为持续测量光束奠定基础。

光束传输系统 (BTS)

光束传输系统 (BTS) 由安装板、宽角透镜和反射镜组成，可以朝微滴腔室方向传输激光束长达 30 米。原则上，系统在高功率负荷下的机械稳定性以及光束传导装置的密封性对低吸收和低污染起决定性作用。反射镜涂有特殊涂层，以便尽可能减少对激光的吸收。

光学平台 FFA (Final Focusing Assembly)

FFA 由两个设备部件组成：光学平台与聚焦单元。为了产生理想的等离子体闪光，激光脉冲必须几乎完全击中锡液滴。但锡液滴小于激光束的直径，因此在光学平台上分离预脉冲和主脉冲并使其成型以产生优质的 EUV 光。预脉冲先以较低的脉冲功率击中锡液滴，使得液滴膨胀为圆盘形，从而增大面积。随后而来的主脉冲被产生的液膜所吸收并形成真正的等离子体，其产生 EUV 辐射。通过这种方式高效利用 40 千瓦激光功率并确保可靠产生用于曝光的等离子体闪光。聚焦单元使激光更好聚焦于锡液滴。