用于光学数据通信的光电二极管不仅可提供不同的数据传输速率和波长,还可用作 1x1 芯片或 1x4 或 1x12 阵列。
高速光电二极管
凭借我们在 850 nm PIN 二极管开发与制造领域的数十年经验,通快高速光电二极管可满足非常高的性能、效率与可靠性要求。它们可用于高达 100 Gbps 的数据传输速率,分别用作芯片或者阵列。
您将同时受益于高响应灵敏度与低暗电流。
丰富的检测与鉴定程序确保最高可靠性。
除了波长为 850 nm 的光电二极管,还有更长的波长可供选择。
除了光电二极管,通快还提供高速 VCSEL,即配对。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/c/1/csm_Photonics-applications-datacom-datacenter_dff49fce2f_3c32a771e8.jpg)
适用于无线电收发两用机、AOC 与板载光学器件的接收器元件
我们 Datacom VCSEL 的理想伴侣。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/e/8/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_160355ffbf_279991b067.jpg)
100G 光电二极管采用 840 - 960 nm
这款 PIN 光电二极管具有直径为 25 µm 的光敏面,适用于高达 100 Gbps PAM4 的数据传输速率。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/0/0/csm_Photonics-Datacom-56G-Photodiode-product-picture_f44de09460_f67c46f9ca.jpg)
56G 光电二极管采用 850 nm
这款 PIN 光电二极管具有直径为 38 µm 的光敏面,适用于高达 56 Gbps PAM4 的数据传输速率。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/f/1/csm_Photonics-Datacom-25G-Photodiode-product-picture_dd2004c2d5_f4c3e03842.jpg)
25G 光电二极管采用 850 nm
这款 PIN 光电二极管具有直径为 42 µm 的光敏面,适用于高达 25 Gbps 的数据传输速率。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/f/csm_Photonics-Datacom-14G-Photodiode-product-picture_834664957c_88110ff235.jpg)
14G 光电二极管采用 850 nm
凭借直径为 55 µm 的光敏面,这款 PIN 光电二极管设计用于高达 14 Gbps 的数据传输速率。
![](/filestorage/TRUMPF_Processed/_processed_/2/d/csm_Photonics-Datacom-10G-Photodiode-product-picture_2f37663504_804046797e.jpg)
10G 光电二极管采用 850 nm
这款 PIN 光电二极管具有直径为 70 µm 的光敏面,适用于高达 10 Gbps 的数据传输速率。
受国别影响,此产品分类与此说明 可能有所不同。保留技术、装备、价格与配件范围方面的更改权利。 请与您当地的联系人取得联系,以便了解您所在国家 是否可提供该产品。