ハイパワーシードモジュール (HPSM) は、数ワットの出力パルスを生成する2体のシードレーザーと、レーザー光線を成形してパルス長を最適にする多数のアクティブ/パッシブ光学コンポーネントから構成されています。最初の増幅器で、光は100 Wのレベルに予め増幅されます。シードレーザーは保護機構により戻り反射光から最適に保護されているため、システム全体の安定性を決定的な程度にまで高めて、必要とされる一定のEUV出力を得ることができます。
CO2レーザ
将来のマイクロチップを製造する際の基盤となるレーザーパルスを供給します。
デジタル時代の実現を可能にするEUVリソグラフィ
EUVリソグラフィは将来のマイクロチップの製造方法として、先頭を切っています。半導体業界は何年にもわたって、小型化が今後も進むシリコンウェーハ上構造の露光を可能にする、費用効率が高く量産に適した方法を探し求めてきました。ASML、ZeissとTRUMPFは共同で、産業使用に適した波長13.5 nmの極端紫外線 (EUV) を得る技術を開発しました。この技術では真空チャンバー内で、液滴ジェネレータが錫の微小液滴を毎秒50,000個射出します。これらの液滴それぞれに50,000個のレーザーパルスの一つが当たることで、液滴がプラズマに変化します。それにより発生したEUV光を、露光の対象となるウェーハにミラーを使用して向けます。プラズマ放射用のレーザーパルスは、TRUMPFが開発したパルス対応型CO2レーザー装置であるTRUMPFレーザー増幅器から発せられます。
数ワットから40キロワットへ
TRUMPFレーザー増幅器は、レーザーパルスを順次10,000倍以上に増幅します。
高い効率とプロセス安全性
プレパルスとメインパルスを放出することで、レーザー増幅器のフル出力を錫液滴に伝えることができます。
CO2レーザーの新しい用途
高出力レーザーシステムの基礎は、連続波モードで稼働するCO2レーザーです。TRUMPFはこれにより、同技術の新しい用途を生み出したことになります。
スペシャリストの大きなネットワーク
TRUMPF、ASMLとZEISSは長年にわたる密接な協力体制のもとで、EUV技術を産業界に適したレベルに引き上げました。
TRUMPFレーザー増幅器の主要コンポーネント
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