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Datacom VCSEL & Photodioden

Photodioden

Highspeed Photodioden für Datenraten bis zu 112 Gbps

TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
Datacom VCSEL & Photodioden

Photodioden

PIN Dioden höchster Qualität. Produktvarianten verfügbar als 5 G, 10 G, 14 G, 25 G, 56 G und 100 G Photodiode

Highspeed Photodioden

Durch unsere jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von 850 nm PIN Dioden erfüllen TRUMPF Highspeed Photodioden höchste Ansprüche an Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Sie sind verfügbar für Datenraten bis zu 112 Gbps, jeweils als Chip oder Array.

Niedriger Dunkelstrom

Profitieren Sie von einer hohen Ansprechempfindlichkeit bei gleichzeitig niedrigem Dunkelstrom.

Sehr gute Zuverlässigkeit

Umfangreiche Test- und Qualifikationsprozeduren stellen höchste Zuverlässigkeit sicher.

Längere Wellenlängen

Neben Photodioden mit 850 nm Wellenlänge, sind auch längere Wellenlängen verfügbar.

Im Paar verfügbar

Neben Photodioden bietet TRUMPF auch Highspeed VCSEL an, also aufeinander abgestimmte Paare.

VCSEL Insights: Performance von 850nm 100Gbps PAM4 Moduldation
TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array
Chip oder Array

Die Photodioden für die optische Datenkommunikation sind nicht nur in unterschiedlichen Datenraten und Wellenlängen verfügbar, sondern jeweils auch als 1x1 Chip oder 1x2, 1x4, 1x8 oder 1x12 Array

Empfängerelement für Transceiver, AOC und On-Board-Optics

Das passende Gegenstück zu unseren Datacom VCSEL.

TRUMPF Datacom Photodiode Fausto array

100G Photodiode mit 840 - 960 nm

Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche mit Durchmesser 25 µm und ist für Datenraten bis 100 Gbps PAM4 geeignet.

56G Photodiode mit 850 nm

Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche mit Durchmesser 38 µm und ist für Datenraten bis 56 Gbps PAM4 geeignet.

25G Photodiode mit 850 nm

Diese PIN Photodiode hat eine aktive Fläche von 42 µm im Durchmesser und eignet sich für Datenraten bis 25 Gbps.

14G Photodiode mit 850 nm

Mit einer aktiven Fläche von 55 µm im Durchmesser ist diese PIN Photodiode für Datenraten bis 14 Gbps ausgelegt.

10G Photodiode mit 850 nm

Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche von 70 µm im Durchmesser und ist für Datenraten bis 10 Gbps geeignet.

Je nach Land sind Abweichungen von diesem Produktsortiment und von diesen Angaben möglich. Änderungen in Technik, Ausstattung, Preis und Zubehörangebot sind vorbehalten. Bitte setzen Sie sich mit Ihrem Ansprechpartner vor Ort in Verbindung, um zu erfahren, ob das Produkt in Ihrem Land verfügbar ist.

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