Das High Power Seed Module (HPSM) besteht aus zwei Seedlasern, die wenige Watt starke Ausganspulse erzeugen, sowie aus einer Vielzahl an aktiven und passiven optischen Komponenten, die den Laserstrahl formen und für eine optimale Pulslänge sorgen. Mit einem ersten Verstärker wird das Licht auf eine Größenordnung von 100 W vorverstärkt. Die Seedlaser sind durch Schutzmechanismen optimal vor Rückreflexen geschützt, so dass die Stabilität des Gesamtsystems entscheidend erhöht und die erforderliche konstante EUV-Leistung erreicht werden kann.
Liefert mit dem Laserpuls die Grundlage für die Fertigung künftiger Mikrochips.
EUV-Lithografie als Enabler für das digitale Zeitalter
Die EUV-Lithografie gewinnt das Rennen um die Herstellungsmethode künftiger Mikrochips. Viele Jahre hat die Halbleiterindustrie nach einem kosteneffizienten und massenfähigen Verfahren gesucht, mit dem noch kleinere Strukturen auf Silizium-Wafern belichtet werden können. Partnerschaftlich haben ASML, Zeiss und TRUMPF eine Technologie entwickelt, extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für den industriellen Gebrauch zu gewinnen: In einer Vakuumkammer schießt ein Tröpfchengenerator 50.000 kleinste Zinntropfen pro Sekunde. Jeder dieser Tropfen wird durch einen der 50.000 Laserpulse getroffen und verwandelt diesen in Plasma. Dadurch entsteht EUV-Licht, das per Spiegel auf die zu belichtenden Wafer gelenkt wird. Den Laserpuls für die Plasmaabstrahlung liefert ein von TRUMPF entwickeltes, pulsfähiges CO2-Lasersystem - der TRUMPF Laser Amplifier.
Der TRUMPF Laser Amplifier verstärkt einen Laserpuls sequentiell um mehr als das 10.000-fache.
Durch Aussendung eines Vor- und eines Hauptpuls kann die vollständige Leistung des Laser Amplifiers auf den Zinntropfen übertragen werden.
Basis des Hochleistungslasersystems ist ein CO2-Laser im cw-Betrieb. Damit schafft TRUMPF eine neue Anwendung für die Technologie.
In jahrelanger, enger Zusammenarbeit haben TRUMPF, ASML und ZEISS die EUV-Technologie zur Industriereife gebracht.